作为一个电子人,我们平时需要和不同的电路接触,但有一些电路图是经典的,值得我们永远记住的。
电路用在各种ADC之前的Sample电路,可以让ADC实现rail to rail的input,sample电路的工作电压**过Vdd,较大的减少了了setting time,而且几乎没有reliability的问题。电路里没有任何一个器件是可以被减少或者改变位置的。此电路直接使得ADC的发展往前跃进了步,现在已经几乎成为除ΔΣ之外各种ADC的标配,成为历史上经典的模拟电路之一。当然,电路原理一眼看去也不是很好理解。
一个神奇的电流源
输入‘任意’电流。(引号的意思是,合理大小的任意电流值), 输出都大约会是2ln8Vt/R。
工作原理如下:
每个时钟沿,比较器对电容上的电压和地作比较, 由此结果来决定下一个电容是否接入电路。
实质上就是用二分法来逼近个未知电压。
switch cap 的CMFB
仅仅4个电容加6个开关就实现了CMFB,非常简洁,且几乎不会影响OPAM本身像output swing,gain之类的spec,非常。
Data Weighted Averaging
基本思想是快速遍历DAC中的每一个电流元从而减少电流元mismatch对ADC信噪比的影响,仅仅通过几个简单的数电模块就实现对电流元mismatch的first order noise shaping,非常巧妙。
的H桥电路
驱动电机正反转,妥妥的好用而且实惠,买一块驱动芯片的钱够自己搭十个桥了。而且用市场上常见的三极管就能搞定,功率稍大的,换成MOS管就行了。
相较于传统的零件加工方式,smt的贴片优势在于,速度快,零件小,能够使产品达到轻薄短小的要求。
Smt贴片加工后的优点具体表现在以下几点:
1、电子产品体积小
贴片元件的体积只有传统插装元件的1/10左右,一般smt贴片加工之后,电子产品体积缩小40%~60%。
2、且成本低
SMT贴片加工易于实现自动化,提高生产效率,节省材料、能源、设备、人力、时间等,降低成本达30%~50%。
3、重量轻
贴片元件的重量也只有传统插装元件的10%,一般采用SMT之后,重量减轻60%~80%。
4、可靠性高,抗振能力强。
5、高频特性好,减少了电磁和射频干扰。
6、焊点缺陷率低。
单片机仿真器是指以调试单片机软件为目的而专门设计制作的一套的硬件装置。
单片机在体系结构上与PC机是完全相同的,也包括*处理器,输入输出接口,存储器等基本单元,因而与PC机等设备的软件结构也是类似的。因而单片机在软件开发的过程中也需要对软件进行调试,观察其中间结果,排除软件中存在的问题。但是由于单片机的应用场合问题,其不具备标准的输入输出装置,受存储空间限制,也难以容纳用于调试程序的软件,因此要对单片机软件进行调试,就必须使用单片机仿真器。单片机仿真器具有基本的输入输出装置,具备支持程序调试的软件,使得单片机开发人员可以通过单片机仿真器输入和修改程序,观察程序运行结果与中间值,同时对与单片机配套的硬件进行检测与观察,可以大大提高单片机的编程效率和效果。
早的单片机仿真器是一套立装置,具有的键盘和显示器,用于输入程序并显示运行结果;随着PC机的普及,新一代的仿真器大多数都是利用PC机作为标准的输入输出装置,而仿真器本身成为微机和目标系统之间的接口而已,仿真方式也从初的机器码发展到汇编语言、C语言仿真,仿真环境也与PC机上的语言编程与调试环境非常类似了。
仿真机一般具有一个仿真头,用于取代目标系统中的单片机,也就是用这个插头模仿单片机,这也是单片机仿真器名称的由来。
目前,随着单片机的小型化,贴片化和具有ISP,IAP等功能的单片机的广泛应用,传统单片机仿真器的应用范围也有所缩小。而软件单片机仿真器(即单片机仿真程序)的应用逐渐广泛,单片机仿真程序即在个人计算机上运行的程序,可在一定程度上模拟单片机运行的硬件环境,并在该环境下运行单片机目标程序,并可对目标程序进行调试、断点、观察变量等操作,可大大提升单片机系统的调试效率。纯软件单片机仿真器往往与硬件设计程序集成在一起发布,使得开发者可以对单片机硬件与软件进行同步开发。
芯片发热
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的大电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf。
考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v、f。如果c、v、f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件。注意不要引入额外的功耗。再简单一点,就是考虑更好的散热吧。
功率管发热
功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗。要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:
01、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了。
02、剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧!
不过要注意,当频率降低时,为了得到相同的负载能力,峰值电流必然要变大或者电感也变大,这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式),这样就需要增加一个负载电容了。
工作频率降频
这个也是用户在调试过程中比较常见的现象,降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者,注意不要将负载电压设置的太高,虽然负载电压高,效率会高点。对于后者,可以尝试以下几个方面:
1.将小电流设置的再小点;
2.布线干净点,特别是sense这个关键路径;
3.将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感;
4.加RC低通滤波吧,这个影响有点不好,C的一致性不好,偏差有点大,不过对于照明来说应该够了。
无论如何降频没有好处,只有坏处,所以一定要解决。
电感或变压器的选择
相同的驱动电路,用a生产的电感没有问题,用b生产的电感电流就变小了。遇到这种情况,要看看电感电流波形。有的没有注意到这个现象,直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流,这样做可能会严重影响LED的使用寿命。
所以说,在设计前,合理的计算是必须的,如果理论计算的参数和调试参数差的有点远,要考虑是否降频和变压器是否饱和。变压器饱和时,L会变小,导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升,那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下,只能看着光衰了。
LED电流大小
大家都知道LED的ripple过大的话,LED寿命会受到影响,影响有多大,也没见过哪个说过。以前问过LED厂这个数据,他们说30%以内都可以接受,不过后来没有经过验证。建议还是尽量控制小点。如果散热解决的不好的话,LED一定要降额使用。也希望有能给个具体指标,要不然影响LED的推广。
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