电路板加工smt流程图

(1)目视检验 目视检验是利用人的肉眼简单的进行一些检查，如表面的凹痕、麻坑、划痕等。更重要的是检查焊孔是否在焊盘中心、导线图形的完整性。
(2)过孔的连通性 针对多层电路板要进行连通性检验，目的是查明PCB图形是否具有连通性。
(3)电路板的绝缘电阻 绝缘电阻是印制电路板绝缘部件对外加直流电压所表现出的一种电阻。选择两根或多根间距紧密、绝缘的导线，先测量其间的绝缘电阻，在加湿热一个周期(箱内相对湿度约为，温度约为45摄氏度，放置十个小时到两天)后，置于室内一小时，再测量它们之间的绝缘电阻。
(4)焊盘的可焊性 可焊性是用来测量元器件焊接到印制电路板上时焊锡对印制图形的润湿能力，一般用润湿、半润湿、不润湿来表示。润湿，焊料在导线和焊盘上可自由流动及扩展，形成粘附性连接。半润湿，焊料先润湿焊盘的表面，后因润湿不当，在焊盘一些不规则的地方形成了焊锡球。不润湿，焊料在表面堆积，但并没有和焊盘表面形成粘附性连接。

作为一个微电子的IC learner，这个学期也有一门课：《微电子器件》，今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。
今天的主要内容如下所示：
·MOS晶体管结构与工作原理简述
·CMOS单元电路与版图
·CMOS门电路
·CMOS的功耗表示
老实说，CMOS比较偏微电子器件，微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧（以后要是有必要，会补充）。
1、MOS晶体管结构与工作原理简述
我们或多或少知道，晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关，通过电压或者电流，控制这个“开关”开还是关。晶体管大概有两种分类：一种是双极性晶体管（BJT，bipolar  junction  transistor），另外一种是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET或者MOS，metal-oxide-semiconductor  field effect transistor）。我们这里主要来聊聊MOS了，那个BJT在现在数字IC设计中已经不是主流工艺了。
①MOS晶体管分为PMOS和NMOS，是哪一类MOS取决于衬底和掺杂浓度。至于是怎么形成的，这太复杂了，简单的三言两语说不清楚，这里干脆就不说了，我们直接来看他们的截面图和简单地讲解它们的工作原理好了（以下均以NMOS为例）。
NMOS晶体管的横截面结构如下所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
底层是硅晶元圆衬底（substrate）(Body Si那里),**上是导电的栅较（gate），中间是二氧化硅构成的绝缘层。在过去栅较是由金属构成的，因此叫做金属-氧化物-半导体，现在的栅较使用的是多晶硅（poly）。MOS结构中，金属(多晶硅)与半导体衬底之间的二氧化硅会形成一个电容。
好吧，上面那一段看不懂也没关系，也不重要，需要你记住的是，上述的NMOS晶体管中，衬底是P型的，衬底上有两个n型的掺杂区域分别称为源较（Source）和漏较（Drain）（其实你把左边定义为漏而右边定义为源也没有问题，因为这个时候这个器件是对称的，在连接电源和地之后，S和D才真正确定）,中间上面的称为栅较（Gate），这就是NMOS的三个电极了（实际上的MOS是一个4端器件，它的衬底也是一个端）。下面来说一下他们怎么工作。
前面我们说了，晶体管的作用就是大致就是一个开关，在电流或者电压的控制下进行开和关，对于NMOS晶体管，我们现在给它加上电压，让它开始工作：
IC设计：CMOS器件及其电路
如上左图所示，加上电压后，所谓的源较，就相当于电子的源头；所谓的漏较，就相当于漏出电子的开口；而中间的栅较，就像控制开关一样：一方面通过控制在栅较施加的高电平电压，使源漏之间出现沟道，电子通过沟道从源较流向漏较，电流的方向也就是从漏到源了，从而进行导电，也就是“开关”打开的的时候（由于是形成的N沟道，也就是电子导电，因此成为N型CMOS）。另一方面再通过控制在栅较施加低电平电压，让沟道关断，因此就源漏之间就关断了，也就是“开关”关断的时候。上面就是NMOS的结构和工作流程了。（PMOS的工作流程恰好相反：通过控制在栅较施加的低电平电压，进行打开，而通过控制在栅较施加高电平电压，让沟道关断。）
注意：栅较的电压达到一定数值时，沟道才会形成，沟道形成时的电压称为阈值电压（Vth）。
②下面我们来看一下I-V特性曲线（注意这两个称呼，一个是转移特性曲线，一个是输出特性曲线）：
IC设计：CMOS器件及其电路
在前面我们知道，对于NMOS，源较(S)是接地的，漏较（D）是接数字电源的，在工作的时候，一般Vds是不变的，然后根据栅较（G）上的电压决定沟道是否导通。工作的时候，Vg的值（也就是输入信号的电压值）是一个定值，要么高电平（可能有波动），要么是低电平，从这里我们也知道NMOS工作的时候，是有电流从电源（VDD）流到地（GND）的（也就是从D流到S的），在电源电压不变的时候，这个电流随着栅较上的电压而。
③接着我们看看MOS的内部自个形成的电容（寄生电容），如下图所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
主要分为：
（1）栅和沟道之间的氧化层电容C1；
（2）衬底和沟道之间的耗尽层电容C2；
（3）多晶硅栅与源和漏的交叠而产生的电容C3 和C4；
（4）源/漏区与衬底之间的结电容C5与C6。
好吧，其实这些个MOS这个电容我们看看就好了，毕竟我们不是做器件的。
2、CMOS单元电路与版图
在现在工艺中，我们主要使用的是成为CMOS（互补型半导体，Complementary MOS）的工艺，这种工艺主要就是把PMOS和NMOS这两类晶体管构成一个单元，称为CMOS单元或者反相器单元，其结构把PMOS和NMOS同时集成在一个晶元上然后栅较相连，漏较相连，下面是它的结构图（关于电路符号和功能将在后面讲）：
IC设计：CMOS器件及其电路
在上图中，左边是NMOS，右边是PMOS。A是共连栅较输入，Y是共连漏较输出，VDD连接PMOS的源较，GND连接GND。
下面电路符号图了，上面的那个CMOS反相器对于的电路符号图如下所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
现在我们就来分析一下这个CMOS反相器的工作原理来说明这个为什么CMOS工艺是主流吧：
A当输入信号A=1时，PMOS关断，NMOS打开，输出信号Y的电压相当于GND的电压，也就是Y=0；在这个过程中，从VDD到GND这一个供电回路都没有导通，因此理论不存在电流从VDD流到GND，因此功耗为0.
B当输入信号A=0时，PMOS打开，而NMOS关闭，输出信号Y=VDD=1，但是从VDD到GND这一个供电回路也没有导通，因此理论上也不存在电流从VDD流到GND，因此功耗也为0。
C因此可以得出，理论上反相器进行传输信号时，没有功耗（好吧，我们应该这样说：功耗较其地低），这就是为什么使用CMOS的工艺的原因。
下面我们来看一下CMOS单元的版图：
IC设计：CMOS器件及其电路
左边是CMOS的电路符号，右边是版图（这个版图先凑合着看），下面来说一下这个版图吧：
首先是从下往上看，金属（蓝色）连接到数字地（Vss）上面；白色背景红色虚线边框的P阱区域是为说明，下面的绿色掺杂区域形成的是NMOS，上面绿色掺杂区域形成的是PMOS；
然后   绿色的掺杂区域  分布在  红色的多晶硅附近，然后多晶硅连在一起（也就是把PMOS和NMOS的栅较连在一起），然后通过金属引出（那个X表示通孔）为输入Vi。
然后下面的NMOS的源较通过通孔跟金属连在一起（绿色跟蓝色通过X连在一起）；NMOS和PMOS的漏较通过通孔连接到同一块金属上面然后当做输出。
PMOS的源较通过通孔连接到金属然后连接到了数字电源上。
更加抽象（好看一点）的图如下所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
版图的基本知识就到这好了，更详细的知识还是查看更的书籍吧。
3、CMOS门电路
①CMOS非门：上面的一个CMOS单元的功能就是非门的功能了，因此CMOS非门也就是这个CMOS的单元，也称为反相器。其电路结构就是反相器的电路结构。
②（二输入）CMOS与非门（NAND）：
直接上图吧，CMOS与非门的电路符号结构如下所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
（PMOS的电路符号栅较处本来应该有个小圈圈，表示低电平有效的）
③（二输入）CMOS或非门(NOR)的电路符号和工作原理如下所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
（PMOS的电路符号栅较处本来应该有个小圈圈，表示低电平有效的）
数字逻辑电路都可以由上面的三种电路化简构成，也就是说一个电路可以由NAND或者NOR电路构成，我们来看看他们的特点来推导数字CMOS电路的特点。
容易知道（反正我们就当做结论好了）：
反相逻辑门的通用结构如下所示：
IC设计：CMOS器件及其电路
此外我们也注意到，使用到与功能的时候，NMOS网络是串联的；使用或功能时，NMOS网络是并联的。因此可以这么记忆：要NOMS都一起，才能一起（与），只要NMOS其中一个就可以（或），与还是或，可以根据NMOS的串并结构判断。
然后设计多少个输入的NXXX门，就把多少个NMOS串/并联起来，然后PMOS就是并/串就可以了。
4、CMOS的功耗表示
功耗是单位时间内消耗的能量，在数字系统中的功耗主要包括静态功耗和动态功耗，我们将从CMOS电路角度聊聊静态功耗和动态功耗。
CMOS的静态功耗：当CMOS不翻转/不工作时的功耗。在CMOS都不工作时，也就是晶体管都处于截止状态的时候，从VDD到GND并不是完全没有电流流过的，还是有些微电流从电源流到地，这个静态电流Idd称为电源和地之间的漏电流，跟器件有关（至于漏电流是怎么引起的，这里就不再阐述了）。初中的时候，我们就学过P=UI，因此静态功耗就可以这样表示 :
IC设计：CMOS器件及其电路
CMOS的动态功耗是信号在0和1变化之间，电容充放电所消耗的功耗。我们知道，不仅仅CMOS器件有寄生电容，导线间也有电容。将电容C充电到电压Vdd所需要的能量CVdd^2。如果电容每秒变换f次（也就是电容的切换频率为f，在一秒内，电容充电f/2次，放电f/2次），由于放电不需要从电源那里获取功耗，因此动态功耗就可以这样表示：
IC设计：CMOS器件及其电路
PS：上面主要是列举了一些主要的功耗，比如动态功耗中除了翻转时电容消耗功耗外，还有在栅较信号翻转的时候PMOS和NMOS同时导通引起的短路功耗。
这里不一一陈述，主要是考虑上面的那两种功耗。也许后面记载低功耗设计的时候会详细说明一下。

EDA和单片机技术在键盘上的应用为了更深入的研究 EDA 技术和单片机技术，下面对键盘中， EDA 技术和单片机技术的应用进行分析，以更有效的提高软件开发的技术水平，促进软件开发行业的长远发展。在研究 EDA 技术和单片机技术在键盘上的应用中，采用了 EDA 的相关软件和编程下载软件，以及相应的单片机和配套的编译软件。键盘一般选用的是矩阵键盘，具有较广泛的实用性。
    浅谈EDA和单片机在键盘上的应用
    在键盘的设置中，按键是通过行线和列线的焦点来进行设置的，将按键开关的两端与行线和列线分别连接。行线的连接是通过上拉电阻，因此，在没有任何操作的境况下，行线是处于高电平的情况，当进行按键操作时，列线会影响行线的电平，从而引起列线电平的变化。行线电平随着列线电平的高低变化而变化，如果列线是高电平，则行线为高电平。这一点按键的识别中有所应用。
    根据键盘中按键排列的依据，在运用 EDA 技术和单片机技术时，矩阵键盘的列线和行线采用的是多键共用，减少了芯片 I/O 接口的占有量，大大提高了键盘的运用速度。在键盘中，运用 EDA 技术和单片机技术将信号连接起来，当行线和列线互相发生影响时，可以有效的进行按键的控制， 实现按键的闭合。与此同时，通过 EDA 技术和单片机技术的结合应用，可以有效的控制键盘的开关，实现键盘的随时操作，从而按照相关指示完成相应的工作。
    EDA技术和单片机技术在键盘上的应用，可以帮助键盘完成多种复杂的操作，以实现对屏幕显示的有效控制，从而切换不同的画面，完成不同的任务。 EDA 技术和单片机技术在各行业的推广和运用，给各行业经济效益的不断提升提供了可靠**，促进我国软件行业的长远发展，对于促进我国现代化建设具有重要意义。

电子必须掌握的电路图集锦
    一、稳压电源
1、3～25V电压可调稳压电路图
此稳压电源可调范围在3.5V～25V之间任意调节，输出电流大，并采用可调稳压管式电路，从而得到满意平稳的输出电压。
工作原理：经整流滤波后直流电压由R1提供给调整管的基较，使调整管导通，在V1导通时电压经过RP、R2使V2导通，接着V3也导通，这时V1、V2、 V3的发射较和集电极电压不再变化（其作用完全与稳压管一样）。调节RP，可得到平稳的输出电压，R1、RP、R2与R3比值决定本电路输出的电压值。
元器件选择：变压器T选用80W～100W，输入AC220V，输出双绕组AC28V。FU1选用1A，FU2选用3A～5A。VD1、VD2选用 6A02。RP选用1W左右普通电位器，阻值为250K～330K，C1选用3300µF／35V电解电容，C2、C3选用0.1µF石电容，C4选用 470µF／35V电解电容。R1选用180～220Ω/0.1W～1W，R2、R4、R5选用10KΩ、1／8W。V1选用2N3055，V2选用 3DG180或2SC3953，V3选用3CG12或3CG80
2、10A3～15V稳压可调电源电路图
无论检修电脑还是电子制作都离不开稳压电源，下面介绍一款直流电压从3V到15V连续可调的稳压电源，大电流可达10A，该电路用了具有温度补偿特性的，高精度的标准电压源集成电路TL431，使稳压精度更高，如果没有要求，基本能满足正常维修使用，电路见下图。
其工作原理分两部分，部分是一路固定的5V1.5A稳压电源电路。*二部分是另一路由3至15V连续可调的高精度大电流稳压电路。路的电路非常简单，由变压器次级8V交流电压通过硅桥QL1整流后的直流电压经C1电解电容滤波后，再由5V三端稳压块LM7805不用作任何调整就可在输出端产生固定的5V1A稳压电源，这个电源在检修电脑板时完全可以当作内部电源使用。*二部分与普通串联型稳压电源基本相同，所不同的是使用了具有温度补偿特性的，高精度的标准电压源集成电路TL431，所以使电路简化，成本降低，而稳压性能却很高。图中电阻R4，稳压管TL431，电位器R3组成一个连续可调得恒压源，为BG2基较提供基准电压，稳压管TL431的稳压值连续可调，这个稳压值决定了稳压电源的大输出电压，如果你想把可调电压范围扩大，可以改变R4 和R3的电阻值，当然变压器的次级电压也要提高。变压器的功率可根据输出电流灵活掌握，次级电压15V左右。桥式整流用的整流管QL用15－20A硅桥，结构紧凑，中间有固定螺丝，可以直接固定在机壳的铝板上，有利散热。调整管用的是大电流NPN型金属壳硅管，由于它的发热量很大，如果机箱允许，尽量购买大的散热片，扩大散热面积，如果不需要大电流，也可以换用功率小一点的硅管，这样可以做的体积小一些。滤波用50V4700uF电解电容C5和C7分别用三只并联，使大电流输出更稳定，另外这个电容要买体积相对大一点的，那些体积较小的同样标注50V4700uF尽量不用，当遇到电压波动频繁，或长时间不用，容易失效。后再说一下电源变压器，如果没有能力自己绕制，有买不到现成的，可以买一块现成的200W以上的开关电源代替变压器，这样稳压性能还可进一步提高，制作成本却差不太多，其它电子元件无要求，安装完成后不用太大调整就可正常工作。
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